谈判行动时，您可以查看Jin Qilin分析师的研究报告。这是授权，专业，及时和包容的，可帮助他利用潜在的主题机会。 （资料来源：凯利安斯）“科学技术创新”
谈判行动时，您可以查看Jin Qilin分析师的研究报告。这是授权，专业，及时和包容的，可帮助他利用潜在的主题机会。 （来源：Cailianshe）
根据Yonhap新闻社和其他韩国媒体的报道，SK Hynix于9月12日（编辑Ziqiao之歌）（编辑Ziqiao之歌）成功完成了AI，HBM4、12的新高性能记忆产品的开发，建立了该建筑的全球生产和全球能源和全球能源。
新闻发布后，SK Hynix股票（000660.KRX）的价格在当天的谈判会议上增长了5％以上。
高带宽内存（HBM，高带宽内存）垂直连接到多个DRAM，与现有戏剧相比，这可以显着提高数据处理速度。它们是六代产品的Bubully产品：HBM，HBM2，HBM2E，HBM3，HBM3E和HBM4。
根据新一代的Hynix的说法与上一代产品（HBM3E）相比，HBM4的数据传输通道（I/S）的数据传输通道（I/S）增加到了两倍带宽。同时，HBM4达到了高达10 Gbps的工作速度（每秒10千兆位）。这显着高于JEDEC标准指定的8Gbps（每秒8千兆位）。此外，该产品的能源效率增加了40％。这意味着HBM4不仅将每单位时间的数据处理更大，而且还将降低数据中心的能源成本。
SK Hynix预测，将该产品输入客户系统后，您可以提高高达69％的AI服务的性能。这使得对AI的培训和推理更快，更有效。
在DisarhBM4卷中，SK Hynix采用了自发的MR-MUF包装技术和第五代（1B）过程。 MR-MUF工艺涉及将液体保护材料注入芯片空间，Stac国王半导体芯片，然后硬化以在层之间形成电路。它指的是一种保护它的方法。与传统的通过一层堆叠芯片放置胶片材料的方法相比，此过程更有效，并且具有更高的热耗散效果。
"The development of HBM4 will be a new milestone in the industry," said Kwon Eon-Oh, vice president of SK Hynix and HBM Development Chief, adding: "We will provide other products that meet the requirements of customers in a timely manner to guarantee performance, energy efficiency, reliability and competitive advantages in the memory market AI and to guarantee competitive advantages in the market fast".
Zhao Zhuhuan是电池场中的一家人。 2022年，它引入了世界上第一个下一代过程，即High-K Metal Gate（HKMG），在移动DRAM和LPDDR中，提高了能源消耗的速度和降低。 2023年，他被提升为SK Hynix的高管，并承担了巨大的责任完成公司的HBM技术邮件。
SK Hynix AI基础设施总裁兼营销总监Kim Ju Seon表示：“ HBM4显然打破了IA。SKHynix的基础设施的局限性。SKHynix，性爱中的创新拐点将成为全面的AI供应商，通过为公司提供最高质量的绩效和临时的企业，以临时的方式为临时的企业提供临时的企业。包括研究和扩展新一代HBM市场以及其他人工智能技术。
HBM对于AI能力（尤其是大型培训和推理），高性能计算机科学和高端图形卡很重要。很大程度上会降低数据性能瓶颈，从而允许GPU等处理器有效运行。
目前，高端HBM市场主要由三个巨人组成：三星，微米和Hynix。之间的竞争HBM主要制造商非常凶猛。 SK Hynix占HBM产品市场份额的第一名。新产品是它的迭代时，SK Hynix是领先的一步，但是三星和Micron也在积极关注。两者都开发了HBM4产品。第一个是准备生产样品，并计划在2025年第四季度开始初始生产。目标是携带Nviday于2026年推出的Rubin Ai GPU。计划恢复其在Pyeongchang的第五个工厂的建设，以准备未来的HBM生产能力。后者将启动36 GB HBM4样品，该样本从12层堆叠，进入客户的验证阶段并在2026年正式生产。
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